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DKDP普克爾斯盒
晶眾光電DKDP普克爾斯盒產品說明晶眾光電DKDP普克爾斯盒是一款高性能的電光調制器件,···...
晶眾光電DKDP普克爾斯盒產品說明
晶眾光電DKDP普克爾斯盒是一款高性能的電光調制器件,專為大口徑、高功率、窄脈寬激光系統設計。該產品采用高質量的磷酸二氘鉀(DKDP)晶體,結合先進的制造工藝,確保了優(yōu)異的光學品質與穩(wěn)定的性能。DKDP普克爾斯盒通過施加可變電壓來調制光束的相位延遲(普克爾斯效應),從而實現對激光脈沖的精確控制。
1. 優(yōu)異的光學質量:DKDP晶體作為單軸晶體,具有高達98%的透過率,波前畸變極低,確保了光束的高質量傳輸。
2.高消光比:利用632nm He-Ne激光測量,DKDP普克爾斯盒的消光比超過2000:1,遠高于同類產品,有效提升了激光系統的性能。
3.低電容設計:電容值小于8pF,使得上升時間極短(<0.5ns),適合在調Q激光器中輸出窄脈寬的脈沖激光。
4.高損傷閾值:在脈寬10ns、波長為1064nm、重復頻率10Hz的條件下,損傷閾值超過1GW/cm2,保證了在高功率激光系統中的長期穩(wěn)定運行。
5.無靜態(tài)雙折射與光折變損傷:DKDP晶體的這一特性進一步提升了激光系統的穩(wěn)定性和可靠性。
6.通光孔徑:提供10~12mm的通光孔徑,有效通光口徑≥90%,滿足大口徑激光系統的需求。
7.電極類型與電壓:采用引線型電極,λ/4電壓為3400V,適用于多種電壓控制場景。
DKDP普克爾斯盒廣泛應用于科研、工業(yè)及軍事領域的激光系統中,特別是在需要高功率、窄脈寬激光脈沖的場合,如激光聚變、材料加工、光學通信等。
普克爾斯盒基于克爾電光效應,即晶體在電場作用下發(fā)生分子取向變化,產生雙折射現象,從而改變光束的相位延遲。通過施加可變電壓,可以精確控制光束的偏振態(tài)和相位,實現激光脈沖的調制。
1.安裝:請確保普克爾斯盒與驅動器正確連接,電纜長度應盡量短,以減少信號衰減和干擾。
2.操作:普克爾斯盒支持常規(guī)控制模式和模擬電壓控制模式,用戶可根據實際需求選擇合適的控制模式。
3.維護:定期檢查普克爾斯盒及驅動器的工作狀態(tài),避免在超過其額定參數的條件下使用,以延長產品壽命。
晶眾光電DKDP普克爾斯盒以其優(yōu)異的光學質量、高消光比、低電容、高損傷閾值等特性,成為大口徑、高功率、窄脈寬激光系統的理想選擇。我們致力于為客戶提供高品質的電光調制解決方案,助力科研與工業(yè)領域的創(chuàng)新發(fā)展。